[发明专利]具有隔离区的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201710717278.4 | 申请日： | 2017-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN107768423B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 林欣;祝荣华;杨红凝 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙尚白 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有隔离区的横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管。本发明公开一种形成于半导体衬底中的装置。所述装置包括形成于所述半导体衬底中的核心装置、包围所述核心装置的第一深沟槽隔离势垒，和形成于所述半导体衬底中、所述深沟槽隔离势垒外部的次级装置。所述装置还包括第二深沟槽隔离势垒，形成所述第二深沟槽隔离势垒以使所述次级装置与所述半导体衬底的其余部分隔离。所述次级装置的第一部分通过第一电连接器电连接到所述核心装置的第一部分，并且所述次级装置的第二部分通过第二电连接器电连接到所述核心装置的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种装置，其特征在于，所述装置包括：半导体衬底；核心装置，所述核心装置形成于所述半导体衬底中；第一深沟槽隔离势垒，所述第一深沟槽隔离势垒包围所述核心装置；次级装置，所述次级装置形成于所述半导体衬底中、所述深沟槽隔离势垒外部；以及第二深沟槽隔离势垒，形成所述第二深沟槽隔离势垒以使所述次级装置与所述半导体衬底的其余部分隔离，其中所述次级装置的第一部分通过第一电连接器电连接到所述核心装置的第一部分，并且所述次级装置的第二部分通过第二电连接器电连接到所述核心装置的第二部分。
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