[发明专利]一种背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池及其制造方法在审
申请号: | 201710717663.9 | 申请日: | 2017-08-21 |
公开(公告)号: | CN107706246A | 公开(公告)日: | 2018-02-16 |
发明(设计)人: | 朱旭东;史孟杰 | 申请(专利权)人: | 无锡嘉瑞光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙)32204 | 代理人: | 柏尚春 |
地址: | 214200 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池及其制造方法,包括从上往下依次铺设的氮化硅减反射膜、磷扩散层、P型硅基体、钝化层和背面非烧穿型铝浆层,钝化层包括氧化硅膜和氮化硅膜,还包括氮氧化硅膜,所述氮化硅减反射膜上设有若干已经烧穿氮化硅减反射膜的正面银电极,在背面钝化层上设有背电极,背电极与P型硅基体连接,浆料层与P型硅基体接触,在背面钝化层上,印刷一层非烧穿型铝浆层。本发明还公开了此种背钝化太阳能电池的制造方法。采用本发明的设计,后续可以在生产工序中方便的增加PERL结构技术、正面SE结构技术、背面硼扩散技术或上述技术的叠加,扩展性强。 | ||
搜索关键词: | 一种 背面 浆料 直接 钝化 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池,其特征在于:包括从上往下依次铺设的氮化硅减反射膜、磷扩散层、P型硅基体、钝化层和背面非烧穿型铝浆层,钝化层包括氧化硅膜和氮化硅膜,所述氮化硅减反射膜上设有若干已经烧穿氮化硅减反射膜的正面银电极,在背面钝化层上设有背电极,背电极与P型硅基体连接,浆料层与P型硅基体接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡嘉瑞光伏有限公司,未经无锡嘉瑞光伏有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710717663.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的