[发明专利]一种阵列基板及其制造方法在审
申请号: | 201710718137.4 | 申请日: | 2017-08-21 |
公开(公告)号: | CN107482020A | 公开(公告)日: | 2017-12-15 |
发明(设计)人: | 王跃林;赵艳艳;徐敬义;李磊;方业周;刘铁男;任艳伟;付弋珊;秦伟达 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制造方法。阵列基板包括第一基板,所述第一基板具有从其一侧露出的漏极;形成在所述第一基板露出漏极一侧的平坦层,所述平坦层开有位于所述漏极之上的台阶孔,且所述台阶孔的孔径自所述平坦层远离所述第一基板的一侧向靠近所述第一基板的方向变小;像素电极,所述像素电极形成在所述台阶孔处且与所述漏极连接;覆盖所述平坦层和所述像素电极的钝化层;形成在所述钝化层之上的公共电极。本发明的阵列基板及其制造方法,与现有技术相比,解决了现有的阵列基板钝化层在像素电极和平坦层相交的位置存在一个像素电极厚度高的段差导致的钝化层容易卷曲脱落的技术问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:第一基板,所述第一基板具有从其一侧露出的漏极;形成在所述第一基板露出漏极一侧的平坦层,所述平坦层开有位于所述漏极之上的台阶孔,且所述台阶孔的孔径自所述平坦层远离所述第一基板的一侧向靠近所述第一基板的方向变小;像素电极,所述像素电极形成在所述台阶孔处且与所述漏极连接;覆盖所述平坦层和所述像素电极的钝化层;形成在所述钝化层之上的公共电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,未经京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710718137.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法和液晶面板
- 下一篇:阵列基板及显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的