[发明专利]一种阵列基板及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201710718137.4 申请日: 2017-08-21
公开(公告)号: CN107482020A 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 王跃林;赵艳艳;徐敬义;李磊;方业周;刘铁男;任艳伟;付弋珊;秦伟达 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种阵列基板及其制造方法。阵列基板包括第一基板,所述第一基板具有从其一侧露出的漏极;形成在所述第一基板露出漏极一侧的平坦层,所述平坦层开有位于所述漏极之上的台阶孔,且所述台阶孔的孔径自所述平坦层远离所述第一基板的一侧向靠近所述第一基板的方向变小;像素电极,所述像素电极形成在所述台阶孔处且与所述漏极连接;覆盖所述平坦层和所述像素电极的钝化层;形成在所述钝化层之上的公共电极。本发明的阵列基板及其制造方法,与现有技术相比,解决了现有的阵列基板钝化层在像素电极和平坦层相交的位置存在一个像素电极厚度高的段差导致的钝化层容易卷曲脱落的技术问题。
搜索关键词: 一种 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括:第一基板,所述第一基板具有从其一侧露出的漏极;形成在所述第一基板露出漏极一侧的平坦层,所述平坦层开有位于所述漏极之上的台阶孔,且所述台阶孔的孔径自所述平坦层远离所述第一基板的一侧向靠近所述第一基板的方向变小;像素电极,所述像素电极形成在所述台阶孔处且与所述漏极连接;覆盖所述平坦层和所述像素电极的钝化层;形成在所述钝化层之上的公共电极。
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