[发明专利]一种S波段宽边耦合带状线3dB定向耦合器

摘要

本发明公开了一种S波段宽边耦合带状线3dB定向耦合器，该耦合器具有级联结构，级联部分由三节串联的四分之一波长宽边耦合带状线与单节四分之一波长宽边耦合带状线组成，所述耦合器包括级联耦合带状线、表面封装阻抗50欧姆的端口、屏蔽层均由多层低温共烧陶瓷工艺实现。本发明实现了强耦合且倍频程达到5倍，具有工作频带宽、尺寸小、可靠性高、批量生产电性能一致性好及使用方便等优点，可广泛应用于电磁波频段的雷达、无线通信等系统中。

主权项

一种S波段宽边耦合带状线3dB定向耦合器，其特征在于：包括特征阻抗50欧姆的输入端口（P1）、特征阻抗50欧姆的直通端口（P2）、特征阻抗50欧姆的隔离端口（P3）、特征阻抗50欧姆的耦合端口（P4）、第一连接线（Lin1）、第二连接线（Lin2）、第三连接线（Lin3）、第四连接线（Lin4）、第一宽边耦合线（L1）、第二宽边耦合线（L2）、第三宽边耦合线（L3）、第四宽边耦合线（L4）、第一连接柱（H1）、第二连接柱（H2）、第三连接柱（H3）、第四连接柱（H4）、第五连接柱（H5）、第六连接柱（H6）、第一屏蔽层（G1）、第二屏蔽层（G2）、第三屏蔽层（G3）、第一通孔（K1）、第二通孔（K2）、第一侧印地（GND1）、第二侧印地（GND2）；特征阻抗50欧姆的输入端口（P1）与第一连接线（Lin1）连接，特征阻抗50欧姆的直通端口（P2）与第二连接线（Lin2）连接，特征阻抗50欧姆的隔离端口（P3）与第四连接线（Lin4）连接，特征阻抗50欧姆的耦合端口（P4）与第三连接线（Lin3）连接，第一宽边耦合线（L1）、第二宽边耦合线（L2）、第三宽边耦合线（L3）、第四宽边耦合线（L4）均有二层折叠线，上下两层对称分布，第一宽边耦合线（L1）的下层耦合线（L12）一端与第一连接线（Lin1）相接，另一端通过第二连接柱（H2）与第二宽边耦合线（L2）的下层耦合线（L22）一端相连，第二宽边耦合线（L2）的下层耦合线（L22）的另一端通过第四连接柱（H4）与第三宽边耦合线（L3）的下层耦合线（L32）一端相连，第三宽边耦合线（L3）的下层耦合线（L32）的另一端通过第六连接柱（H6）与第四宽边耦合线（L4）的下层耦合线（L42）一端相连，其中第六连接柱（H6）穿过位于第二屏蔽层（G2）上的第二通孔（K2），第四宽边耦合线（L4）的下层耦合线（L42）的另一端与第二连接线（Lin2）相连；第一宽边耦合线（L1）的上层耦合线（L11）一端通过第五连接柱（H5）与第四宽边耦合线（L4）的上层耦合线（L41）一端相连，其中第五连接柱（H5）穿过位于第二屏蔽层（G2）上的第一通孔（K1），第四宽边耦合线（L4）的上层耦合线（L41）的另一端与第四连接线（Lin4）相连，第一宽边耦合线（L1）的上层耦合线（L11）的另一端通过第一连接柱（H1）与第二宽边耦合线（L2）的上层耦合线（L21）一端相连，第二宽边耦合线（L2）的上层耦合线（L21）的另一端通过第三连接柱（H3）与第三宽边耦合线（L3）的上层耦合线（L31）一端相连，第三宽边耦合线（L3）的上层耦合线（L31）的另一端与第三连接线（Lin3）相连；第一屏蔽层（G1）、第三屏蔽层（G3）分别位于结构最上面与最下面一层，第二屏蔽层（G2）将第一宽边耦合线（L1）、第二宽边耦合线（L2）、第三宽边耦合线（L3）与第四宽边耦合线（L4）上下分隔开，第一屏蔽层（G1）、第二屏蔽层（G2）、第三屏蔽层（G3）均与第一侧印地（GND1）、第二侧印地（GND2）相接。