[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201710722265.6 申请日: 2017-08-22
公开(公告)号: CN107863125A 公开(公告)日: 2018-03-30
发明(设计)人: 久本大 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G11C16/08 分类号: G11C16/08;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 欧阳帆
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本公开涉及半导体装置。提供了包括非易失性存储器单元的半导体装置,该非易失性存储器单元每个都包括具有优异存储器特征的FinFET。半导体装置包括半导体衬底;每个都形成在半导体衬底中并且具有分裂栅极结构的存储器单元,该分裂栅极结构包括相对栅极型选择栅极电极、存储器栅极电极和一对端子;以及字线驱动器电路,该字线驱动器电路向存储器单元中的所选择的存储器单元的选择栅极电极供应选择电压,并且向存储器单元中的未选择的存储器单元的选择栅极电极供应未选择电压。字线驱动器电路将相对于半导体衬底中的电势为负或者正的电压作为未选择电压供应,以便使与未选择的存储器单元的选择栅极电极相对应的选择晶体管进入关断状态。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,包括:第一半导体区域;多个存储器单元,所述多个存储器单元每个都形成在所述第一半导体区域中并且具有分裂栅极结构,所述分裂栅极结构包括相对栅极型选择栅极电极、存储器栅极电极和一对端子;以及第一驱动器电路,所述第一驱动器电路向所述存储器单元中的所选择的存储器单元的选择栅极电极供应选择电压,并且向所述存储器单元中的未选择的存储器单元的选择栅极电极供应未选择电压,其中所述第一驱动器电路将相对于所述第一半导体区域中的电势为负或者正的电压作为所述未选择电压供应,以便使与所述未选择的存储器单元的所述选择栅极电极相对应的选择晶体管进入关断状态。
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