[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710724777.6 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN107658374A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;葛永晖;魏晓骏;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，外延片还包括层叠在缓冲层和N型氮化镓层之间的复合层，复合层包括多个氮化镓层和多个氧化锌层，多个氮化镓层和多个氧化锌层交替层叠设置。本发明通过在缓冲层和N型氮化镓层之间设置复合层，复合层包括交替层叠设置的多个氮化镓层和多个氧化锌层，可以有效控制蓝宝石或硅衬底和氮化镓之间晶格失配导致的位错和应力极化延伸，改善外延片的晶体质量，为多量子阱层提高较好的晶体基础，提高发光二极管的内量子效率，进而提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延片，所述外延片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和P型氮化镓层，其特征在于，所述外延片还包括层叠在所述缓冲层和所述N型氮化镓层之间的复合层，所述复合层包括多个氮化镓层和多个氧化锌层，所述多个氮化镓层和所述多个氧化锌层交替层叠设置。
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