[发明专利]一种多孔悬膜及其制备方法

摘要

本申请公开了一种多孔悬膜及其制备方法，其中，多孔悬膜的制备方法利用键合工艺在具有氧化硅层的硅衬底表面键合另外一个硅衬底，然后对其中的一个硅衬底进行减薄和刻蚀后形成由多个第一通孔构成的图形的悬膜层，并对另外一个硅衬底与第一通孔相对应的位置进行刻蚀形成多个与第一通孔对应的第二通孔，最后刻蚀去除第一通孔和第二通孔之间的氧化硅层，以获得多孔悬膜；多孔悬膜的制备方法制备的多孔悬膜的厚度由减薄处理后剩余的硅衬底的厚度决定，摆脱了集成电路薄膜生长技术的制约，实现了制备较大厚度的悬膜层的目的；并且悬膜层的材料为剩余的硅衬底，硅衬底的强度相较于氧化硅或氮化硅而言均较大，从而实现了制备较高强度的悬膜层的目的。

主权项

一种多孔悬膜的制备方法，其特征在于，包括：提供第一硅衬底及第二硅衬底；在所述第一硅衬底表面形成氧化硅层；利用键合工艺在所述氧化硅层表面键合所述第二硅衬底；对所述第一硅衬底或第二硅衬底进行减薄处理，以获得包括待处理悬膜和悬膜衬底的结构，其中，所述待处理悬膜为减薄处理后的硅衬底，所述悬膜衬底为另一硅衬底；对所述待处理悬膜进行图形的光刻并刻蚀，形成多个贯穿所述待处理悬膜，并使所述氧化硅层裸露的第一通孔，以获得悬膜层；对所述悬膜衬底进行图形的双面对准光刻并刻蚀，形成多个贯穿所述悬膜衬底，并使所述氧化硅层裸露的第二通孔，一个所述第二通孔与一个所述第一通孔对应，对应的第一通孔和第二通孔在所述氧化硅层上的投影的位置至少部分重合；刻蚀去除所述第一通孔与所述第二通孔之间的氧化硅层，以获得多孔悬膜。