[发明专利]一种零功率消耗的真空紫外光伏探测器有效
申请号: | 201710725620.5 | 申请日: | 2017-08-22 |
公开(公告)号: | CN107611216B | 公开(公告)日: | 2019-08-09 |
发明(设计)人: | 黄丰;郑伟;林日成;张召君 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/0336 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 陈卫 |
地址: | 510275 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了石墨烯(Graphene)在真空紫外光伏探测器中的应用以及一种零功率消耗的真空紫外光伏探测器。本发明首次发现石墨烯对真空紫外光的透过率大于90%,并首次在高结晶质量的AlN材料上组装上了p‑type掺杂的Graphene作为透明电极收集空穴,AlN作为吸光层产生光生载流子,构建了一个具有PN特性的异质结光伏器件。该器件实现了人们期望已久的零功率消耗真空紫外光伏探测器的制备,该器件还表现出优秀的真空紫外响应特性,光电转换外量子效率比传统器件高13.7倍,具有80 ns的超快响应时间(比现有光电导型真空紫外器件快104~106倍)和高的外量子效率,具有很好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 功率 消耗 真空 紫外光 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种p‑Gr/AlN/p‑GaN的背靠背光伏探测器件,其特征在于,使用石墨烯作为VUV透明导电窗口,以AlN为吸光层,由如下方法构建得到:S1.外延AlN薄膜层的生长:首先在c面蓝宝石平面衬底上生长GaN 缓冲层然后生长非掺杂的 GaN,再生长p‑GaN;然后退火处理后,二次外延AlN,得到外延AlN薄膜层;S2.器件的制备:首先在外延AlN薄膜层表面构建石墨烯作为透明导电窗口,然后在石墨烯的一端依次沉积Ti和Au;最后使用液态Ga液滴将金线与金电极进行连接,在p‑GaN一端直接使用热熔化的In作为电极构建欧姆接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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