[发明专利]闪存控制器

摘要

本发明公开了一种用于一闪存的更新方法与用于一闪存的内存控制器，所述更新方法包括：执行写入操作以将输入数据储存至所述闪存中的储存空间；检查储存有所述输入数据的所述储存空间的可靠度；及当所述储存空间的可靠度达到预定条件时，依据所述输入数据对所述储存空间执行更新操作。所述写入操作会通过初始程序化操作以及所述初始程序化操作之后的再程序化操作，来将所述输入数据储存至所述储存空间。所述更新操作是对所述储存空间进行的一额外再程序化操作，以将从所述储存空间所恢复的所述输入数据程序化至所述储存空间中的原始储存位置。本发明数据保持恢复机制会更新而非抹除受到数据保持干扰的记忆区块，不会增加程序化/抹除周期的数目。

主权项

一种内存控制器，用于一闪存，其特征在于，包括：一写入电路，耦接至所述闪存，用来执行一写入操作以将一输入数据储存至所述闪存中的一储存空间，所述写入操作包括有依序执行的一初始程序化操作、一第一次再程序化操作以及一第二次再程序化操作；一检查电路，用来检查储存有所述输入数据的所述储存空间的可靠度，侦测已经储存有所述输入数据的所述储存空间是否遭遇数据保存干扰；以及一更新电路，耦接至所述检查电路以及所述闪存，用来于所述储存空间遭遇到所述数据保存干扰，依据所述输入数据对所述储存空间执行一更新操作，所述更新操作包括有：从所述储存空间恢复所述输入数据；以及将从所述储存空间所恢复的所述输入数据程序化至所述储存空间中的原始储存位置，对所述输入数据进行的所述程序化步骤是对所述储存空间进行的额外再程序化操作，不相同于所述初始程序化操作、所述第一次再程序化操作以及所述第二次再程序化操作；其中，所述写入电路储存在所述储存空间中的所述输入数据是依据一第一参考临界电压初始设定来被读取，而所述更新电路储存在所述储存空间中的所述输入数据是依据一第二参考临界电压初始设定来被读取，且所述第一参考临界电压初始设定是不同于所述第二参考临界电压初始设定；以及，所述第二参考临界电压初始设定所对应的临界电压分布较窄于所述第一参考临界电压初始设定所对应的临界电压分布。