[发明专利]AMOLED像素驱动电路

摘要

本发明涉及一种AMOLED像素驱动电路。该驱动电路包括：第一薄膜晶体管(T1)，顶栅极连接第一节点(G)，底栅极连接第二节点(B)，源极和漏极分别连接电源高电位(VDD)和第三节点(S)；第二薄膜晶体管(T2)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接第一节点(G)和第一数据线(Data1)；第三薄膜晶体管(T3)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接侦测信号线(Sense)和第三节点(S)；第四薄膜晶体管(T4)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接第二节点(B)和第二数据线(Data2)；第一电容(C)，连接第二节点(B)和电源高电位(VDD)；第二电容(Cst)，连接第一节点(G)和第三节点(S)；有机发光二极管(D1)，其阳极连接第三节点(S)。本发明对驱动TFT的电性漂移进行了有效的补偿。

主权项

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：作为驱动晶体管的第一薄膜晶体管(T1)，其为双栅极薄膜晶体管，顶栅极连接第一节点(G)，底栅极连接第二节点(B)，源极和漏极分别连接电源高电位(VDD)和第三节点(S)；第二薄膜晶体管(T2)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接第一节点(G)和第一数据线(Data1)；第三薄膜晶体管(T3)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接侦测信号线(Sense)和第三节点(S)；第四薄膜晶体管(T4)，其栅极连接扫描线(Scan)，源极和漏极分别连接第二节点(B)和第二数据线(Data2)；第一电容(C)，其两端分别连接第二节点(B)和电源高电位(VDD)；第二电容(Cst)，其两端分别连接第一节点(G)和第三节点(S)；有机发光二极管(D1)，其阳极连接第三节点(S)，阴极连接电源低电位(VSS)；所述AMOLED像素驱动电路工作于第一薄膜晶体管(T1)阈值电压侦测状态时，所述扫描线(Scan)设置为输入高电位；所述第一数据线(Data1)设置为输入第一参考电压；将第一薄膜晶体管(T1)阈值电压侦测状态按时间划分为初始化阶段和阈值电压生成阶段，所述侦测信号线(Sense)在初始化阶段设置为输入第二参考电压，在阈值电压生成阶段设置为悬空，所述第二参考电压小于第一参考电压且小于有机发光二极管(D1)的开启电压；所述第二数据线(Data2)设置为第三参考电压。