[发明专利]发光二极管外延片及其制造方法有效
| 申请号： | 201710726346.3 | 申请日： | 2017-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN109427940B | 公开（公告）日： | 2020-04-24 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙) 11447 | 代理人： | 王晓霞;魏嘉熹 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种发光二极管外延片及其制造方法。所述方法包括：提供一衬底，并在所述衬底上依次生长缓冲层、n型层、发光层和p型层；将微孔薄膜覆盖在所述p型层表面；在所述微孔薄膜表面进行刻蚀；去除所述微孔薄膜，以使所述p型层表面被粗化。这样，表面不平滑的p型层能够使得发光层发出的光更易从LED芯片内部射出，减少了光在p型层表面的全反射，从而增加了LED芯片的光出射率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供一衬底(1)，并在所述衬底(1)上依次生长缓冲层(2)、n型层(3)、发光层(4)和p型层(5)；将微孔薄膜(6)覆盖在所述p型层(5)表面；在所述微孔薄膜(6)表面进行刻蚀；去除所述微孔薄膜(6)，以使所述p型层(5)表面被粗化。
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