[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

一种半导体存储器件包括衬底、地选择线、字线、绝缘层、竖直通道部分和第一外围电路栅极图案。衬底包括单元阵列区域和外围电路区域。地选择线在单元阵列区域上。字线在地选择线上。绝缘层在地选择线与字线之间。竖直通道部分在与衬底的顶表面垂直的方向上穿过地选择线、字线和绝缘层。第一外围电路栅极图案在衬底的外围电路区域上。绝缘层从单元阵列区域延伸到外围电路区域上以覆盖第一外围电路栅极图案的顶表面。

主权项

一种半导体存储器件，包括：包括单元阵列区域和外围电路区域的衬底；在所述衬底的所述单元阵列区域上的地选择线；在所述地选择线上的字线；在所述地选择线与所述字线之间的绝缘层；在与所述衬底的顶表面垂直的方向上穿过所述地选择线、所述字线和所述绝缘层的竖直通道部分；以及在所述衬底的所述外围电路区域上的第一外围电路栅极图案，其中所述绝缘层从所述单元阵列区域延伸到所述外围电路区域上以覆盖所述第一外围电路栅极图案的顶表面。