[发明专利]一种芯片后端金属制程工艺

摘要

本发明提供了一种芯片后端金属制程工艺，通过在绝缘层表面沉积了导电的阻挡晶种层，从而能够采用电化学镀(ECP)的工艺来沉积金属铜，这样可以先沉积金属铜和阻挡层，而后再沉积形成包裹覆盖的氧化物绝缘层，从而有效避免了采用等离子干法刻蚀工艺(Plasma Dry Etch)去除氧化物层导致的一系列问题；通过本发明上述工艺，减少甚至避免了使用离子干法刻蚀工艺(Plasma Dry Etch)，从而提高了芯片后端金属制程工艺的可靠性和的产品性能。

主权项

一种芯片后端金属制程工艺，其特征在于：包括以下步骤：提供晶圆衬底，并在衬底表面沉积绝缘层；在绝缘层表面沉积一层薄的、导电的阻挡晶种层；在所述阻挡晶种层表面涂覆光刻胶层；光刻以在所述光刻胶层形成通至所述阻挡晶种层表面的光刻通孔；在所述光刻通孔底部的阻挡晶种层表面沉积金属以填充所述光刻通孔；去除所述光刻胶层；沉积阻挡层以覆盖所述沉积金属；垂直干法刻蚀以去除水平方向的所述阻挡层；沉积绝缘层并包围覆盖所述沉积金属和阻挡层；平坦化处理以露出所述沉积金属和阻挡层的顶面。