[发明专利]GaN衬底的表面处理方法在审
| 申请号： | 201710728362.6 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107564799A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 姜丽娟;王晓亮;肖红领;秦彦斌;王权;郭芬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN衬底的表面处理方法。在GaN同质衬底或GaN基板材料上进行高温热分解和再生长循环周期处理，每个循环周期包括表面高温热分解阶段和再生长阶段。本发明提供的表面处理方法能够有效降低GaN衬底表面吸附的杂质原子浓度，尤其是Si原子的浓度；可以避免因杂质原子引起的寄生导电沟道，导致GaN基HEMT器件的缓冲层发生漏电；同时，可以抑制GaN外延生长表面的质量因高温分解而恶化，改善后续GaN外延界面和表面的质量。 | ||
| 搜索关键词： | gan 衬底 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN衬底的表面处理方法，包括以下步骤：准备一GaN衬底；在所述GaN衬底表面进行高温热分解和再生长循环过程，每一循环包括：对GaN衬底进行高温热分解；以及进行GaN再生长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所，未经中国科学院半导体研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710728362.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型混凝斜板沉淀池
- 下一篇：一种淡盐水的回收利用装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
