[发明专利]基板处理方法、基板处理装置以及记录介质有效
| 申请号： | 201710728899.2 | 申请日： | 2017-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN107785289B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 畠山真一;渡边圣之;西幸三;户塚诚也;吉原健太郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及基板处理方法、基板处理装置以及记录介质，有效提高涂布膜的膜厚的均匀性。涂布和显影装置(2)具备：喷嘴(22)，其向晶圆喷出处理液；压送部(40)，其向喷嘴侧加压输送处理液；送液管路(50)，其具有从压送部侧向喷嘴侧排列的阀(53、54)，用于从压送部向喷嘴引导处理液；以及控制器(100)。控制器构成为执行以下动作：在阀(54)关闭且阀(53)与阀(54)之间的压力比压送部与阀(53)之间的压力高的状态下打开阀(53)；控制压送部以使由于阀(53)打开而降低的阀(53)与阀(54)之间的压力上升；以及在由于阀(53)打开而阀(53)与阀(54)之间的压力降低之后打开阀(54)。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 装置 以及 记录 介质 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，其特征在于，具备：喷嘴，其向基板喷出处理液；压送部，其向所述喷嘴侧加压输送所述处理液；送液管路，其具有从所述压送部侧向所述喷嘴侧排列的第一阀和第二阀，该送液管路用于从所述压送部向所述喷嘴引导所述处理液；以及控制器，其中，所述控制器构成为执行以下动作：在所述第二阀关闭且所述第一阀与所述第二阀之间的压力比所述压送部与所述第一阀之间的压力高的状态下打开所述第一阀；控制所述压送部，以使由于所述第一阀打开而降低的所述第一阀与所述第二阀之间的压力上升；以及在由于所述第一阀打开而所述第一阀与所述第二阀之间的压力降低之后打开所述第二阀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
