[发明专利]提高钕铁硼磁体矫顽力和抗腐蚀性的制备方法在审

专利信息
申请号: 201710730209.7 申请日: 2017-08-23
公开(公告)号: CN107546028A 公开(公告)日: 2018-01-05
发明(设计)人: 严长江 申请(专利权)人: 宁波科田磁业有限公司
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;C23C14/35;C23C14/16
代理公司: 宁波天一专利代理有限公司33207 代理人: 杨高
地址: 315034 *** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种提高钕铁硼磁体矫顽力和耐腐蚀性的方法,将适当厚度的钕铁硼磁体表面采用真空磁控溅射镀Dy或Tb,重稀土的渗透深度为5‑500μm,形成富含Dy或Tb的高矫顽力晶界相层,然后再镀Al膜,制备的磁体具有高矫顽力和高耐腐蚀性的特点。有效利用稀土提高矫顽力,和较好的抗腐蚀性能,既减少重稀土资源的浪费,降低了磁体生产成本,又有效提高耐腐蚀性能。
搜索关键词: 提高 钕铁硼 磁体 矫顽力 腐蚀性 制备 方法
【主权项】:
提高钕铁硼磁体矫顽力和耐腐蚀性的制备方法,其特征在于包括以下步骤:步骤一:将制备好的钕铁硼永磁体,经过机加工制备成在取向方向的厚度3~10mm的磁体,依次经过碱洗→水洗→酸洗→水洗→吹干,获得没有锈迹的干净表面;步骤二:将步骤一中的永磁体放入镀膜室中的工件架上,将镀膜室的真空抽至5×10‑2Pa~5×10‑3Pa,加热使永磁体温度保持在800‑950 ℃之间;步骤三:启动镀膜室里的多弧阴极蒸发器,平面磁溅射靶和旋转工件架,进行5‑20小时的磁控多弧溅射镀Dy或Tb;步骤四:维持镀膜室在真空下冷却60‑90 分钟到室温,再将磁体加热到450‑550 ℃之间保持1‑2小时,进行时效处理;步骤五:维持镀膜室已确定的真空度,冷却磁体到室温,充入Ar或其他惰性气体后,打开镀膜室;步骤六:将磁体表面剩余的Dy或Tb层经过磨加工去除,获得光洁表面;步骤七:将步骤六的磁体采用碱洗→水洗→酸洗→水洗→吹干,获得干净的表面;步骤八:将已渗Dy或Tb的磁体,再次放在旋转工件架上,关闭镀膜室,将镀膜室真空抽至4×10‑3Pa~5×10‑3Pa,并加热使磁体温度保持在270‑350 ℃之间;步骤九:启动镀膜室的多弧阴极蒸发器,平面磁溅射靶和旋转工件架进行2‑10小时镀Al膜;步骤十:维持镀膜室真空,冷却磁体至室温,充气,打开镀膜室。
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