[发明专利]晶圆混合键合中提高金属引线制程安全性的方法有效
申请号: | 201710732727.2 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107665829B | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 严孟;朱继锋;胡思平 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘广达 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种晶圆混合键合中提高金属引线制程安全性的方法,属于半导体领域。所述方法包括:提供衬底;在衬底的上表面形成非金属层,并在非金属层中形成金属导体;在含有金属导体的非金属层的上表面形成含有两层氮化硅层和两层氧化硅层交错层叠的介电层;对介电层进行平坦化工艺处理;在平坦化工艺处理后的介电层上,以对氮化硅层和氧化硅层预设的刻蚀速率比进行刻蚀形成金属引线沟槽,至非金属层中的金属导体的上表面部分裸露;对金属引线沟槽进行金属填充得到金属引线。本发明中的技术方案,提高了晶圆混合键合中金属引线制程的安全性和良率。 | ||
搜索关键词: | 混合 键合中 提高 金属 引线 安全性 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆混合键合中提高金属引线制程安全性的方法,其特征在于,包括:/n提供衬底;/n在所述衬底的上表面形成非金属层,所述非金属层覆盖所述衬底的上表面,并在所述非金属层中形成金属导体;/n在含有所述金属导体的非金属层的上表面形成含有两层氮化硅层和两层氧化硅层交错层叠的介电层,所述介电层覆盖所述非金属层的上表面;/n对所述介电层进行平坦化工艺处理;/n在平坦化工艺处理后的介电层上,以对所述氮化硅层和所述氧化硅层预设的刻蚀速率比进行刻蚀形成金属引线沟槽,至所述非金属层中的金属导体的上表面部分裸露,所述金属引线沟槽的宽度小于所述金属导体的宽度;/n对所述金属引线沟槽进行金属填充得到金属引线。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710732727.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动键合装置及方法
- 下一篇:污水污泥分离装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造