[发明专利]晶圆混合键合中提高金属引线制程安全性的方法有效

专利信息
申请号: 201710732727.2 申请日: 2017-08-24
公开(公告)号: CN107665829B 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 严孟;朱继锋;胡思平 申请(专利权)人: 长江存储科技有限责任公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 代理人: 刘广达
地址: 430074 湖北省武汉市洪山区东*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种晶圆混合键合中提高金属引线制程安全性的方法,属于半导体领域。所述方法包括:提供衬底;在衬底的上表面形成非金属层,并在非金属层中形成金属导体;在含有金属导体的非金属层的上表面形成含有两层氮化硅层和两层氧化硅层交错层叠的介电层;对介电层进行平坦化工艺处理;在平坦化工艺处理后的介电层上,以对氮化硅层和氧化硅层预设的刻蚀速率比进行刻蚀形成金属引线沟槽,至非金属层中的金属导体的上表面部分裸露;对金属引线沟槽进行金属填充得到金属引线。本发明中的技术方案,提高了晶圆混合键合中金属引线制程的安全性和良率。
搜索关键词: 混合 键合中 提高 金属 引线 安全性 方法
【主权项】:
1.一种晶圆混合键合中提高金属引线制程安全性的方法,其特征在于,包括:/n提供衬底;/n在所述衬底的上表面形成非金属层,所述非金属层覆盖所述衬底的上表面,并在所述非金属层中形成金属导体;/n在含有所述金属导体的非金属层的上表面形成含有两层氮化硅层和两层氧化硅层交错层叠的介电层,所述介电层覆盖所述非金属层的上表面;/n对所述介电层进行平坦化工艺处理;/n在平坦化工艺处理后的介电层上,以对所述氮化硅层和所述氧化硅层预设的刻蚀速率比进行刻蚀形成金属引线沟槽,至所述非金属层中的金属导体的上表面部分裸露,所述金属引线沟槽的宽度小于所述金属导体的宽度;/n对所述金属引线沟槽进行金属填充得到金属引线。/n
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