[发明专利]一种无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201710733137.1 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107611191B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
发明(设计)人: | 曾昭兵;张京;诸跃进;陈人杰;张英;庄学恒 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | H01L31/0264 | 分类号: | H01L31/0264;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260 | 代理人: | 丁少华 |
地址: | 315211 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及一种无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法,其特征在于:包括层状依次分布的导电玻璃层、致密二氧化钛膜、CsPbI2Br晶体膜、空穴传输层及银电极层,所述CsPbI2Br晶体膜中掺杂有醋酸铅,所述CsPbI2Br晶体膜的由钙钛矿溶液制备,所述钙钛矿溶液的溶质为CsI、PbI2、PbBr2和醋酸铅,钙钛矿溶液的溶剂为DMF与DMSO,醋酸铅在钙钛矿溶液中的含量为5~15%wt。本发明使用了醋酸铅掺杂CsPbI2Br,极大地优化了钙钛矿膜的结晶,抑制了钙钛矿层内部的电荷复合,从而提升了电池的开路电压,进而获得了效率的提升。 | ||
搜索关键词: | 一种 无机 钙钛矿 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种无机钙钛矿太阳能电池的制备方法,其特征在于:依次包括如下步骤:①将PbI2、PbBr2和CsI以摩尔比1:1:2溶解于DMF与DMSO中,搅拌溶解形成钙钛矿前驱溶液,然后将醋酸铅加入钙钛矿前驱溶液中,搅拌溶解形成钙钛矿溶液;其中,醋酸铅在钙钛矿溶液中的含量为1~20%wt;②使用溶胶凝胶法在导电玻璃层上涂上一层致密二氧化钛膜,然后致密二氧化钛膜经450‑500℃处理后再进行四氯化钛处理,烧结后备用;③使用匀胶机将钙钛矿溶液沉积在步骤②中备用的致密二氧化钛膜上,转移至加热板上经100‑350℃退火处理,形成CsPbI2Br晶体膜;④将空穴传输材料的有机溶液均匀的旋涂在CsPbI2Br晶体膜上形成空穴传输层;⑤使用蒸镀方法,在空穴传输层上蒸镀银电极层,制备得到的无机钙钛矿太阳能电池包括层状依次分布的导电玻璃层、致密二氧化钛膜、CsPbI2Br晶体膜、空穴传输层及银电极层,CsPbI2Br晶体膜由钙钛矿溶液制备,CsPbI2Br晶体膜中掺杂有醋酸铅,钙钛矿溶液的溶质为CsI、PbI2、PbBr2和醋酸铅,钙钛矿溶液的溶剂为DMF与DMSO,醋酸铅在钙钛矿溶液中的含量为5~15%wt,致密二氧化钛膜的厚度为100~150纳米,CsPbI2Br晶体膜的厚度为200纳米~1.5微米,空穴传输层的厚度为250~400纳米,银电极层的厚度为50~200纳米,空穴传输层的材质为Spiro‑OMeTAD或3‑己基取代聚噻吩。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的