[发明专利]一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法在审
| 申请号： | 201710733295.7 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107611229A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 徐骏;刘婧婧;李东珂;沐维维;季阳;吴仰晴;林泽文;陈坤基 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/26 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法，硅基异质结电致发光器件采用钙钛矿电致发光器件，其结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层‑电子阻挡层、发光层、电子传输‑空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层‑电子阻挡层为Si基材料，包括p‑Si、p‑Si+SiO2、p‑Si+SiC、p‑Si+SiN以及非晶硅；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合、X＝Cl、Br或I；采用交流驱动(1)方波驱动频率10HZ‑100MHZ,占空比20％‑80％；(2)正弦波驱动频率10HZ‑100MHZ。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 交流 驱动 提高 硅基异质结 电致发光 器件 发光 稳定性 方法 | ||
【主权项】：
一种交流驱动提高硅基异质结电致发光器件发光稳定性的方法，其特征是所述钙钛矿电致发光器件的结构自下而上分别为阳极层、空穴传输层‑电子阻挡层、发光层、电子传输‑空穴阻挡层和阴极层；空穴传输层‑电子阻挡层为Si基材料，包括p‑Si、p‑Si+SiO2、p‑Si+SiC、p‑Si+SiN以及非晶硅；发光层为全无机钙钛矿CsPbX3，X为一元卤素元素或多元卤素元素的组合、X＝Cl、Br或I；所使用的代表材料性分子式为CsPbCl3，CsPbBr3，CsPbI3，CsPbBr3‑xIx，CsPbBr3‑xClx；采用交流驱动(1)方波驱动频率10HZ‑100MHZ,占空比20％‑80％；(2)正弦波驱动频率10HZ‑100MHZ。
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