[发明专利]双层外延工艺方法

摘要

本发明公开了一种双层外延工艺方法，包括步骤：进行第一次外延生长工艺在半导体晶圆表面形成第一外延层；对外延工艺腔进行降温并取出半导体晶圆，在降温过程中，外延工艺腔中的残余工艺气体继续反应在第一外延层表面形成电阻率不匹配外延层；形成第一部分器件结构；将半导体晶圆放置到外延工艺腔中并升温；通入HCL进行外延层刻蚀将第一外延层表面的电阻率不匹配外延层去除；之后进行第二次外延生长工艺形成第二外延层并叠加形成电阻率匹配的双层外延结构；在第二外延层中形成第二部分器件结构。本发明能提高两个叠加的外延层的界面特性，从而提高器件的击穿电压和性能。

主权项

1.一种双层外延工艺方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤一、将半导体晶圆放置到外延工艺腔中，将所述外延工艺腔升温到第一次外延生长工艺的温度，进行所述第一次外延生长工艺在所述半导体晶圆表面形成具有第一导电类型的第一外延层；/n步骤二、对所述外延工艺腔进行降温并取出形成有所述第一外延层的所述半导体晶圆，在降温过程中，所述外延工艺腔中的残余工艺气体继续反应在所述第一外延层表面形成电阻率不匹配外延层；/n步骤三、在形成有所述电阻率不匹配外延层的所述第一外延层中形成第一部分器件结构；/n步骤四、将形成有所述第一部分器件结构的所述半导体晶圆放置到外延工艺腔中，将所述外延工艺腔升温到第二次外延生长工艺的温度；/n通入HCL进行外延层刻蚀，所述外延层刻蚀将所述第一外延层表面的所述电阻率不匹配外延层去除；/n所述电阻率不匹配外延层去除后关闭HCL的流入从而结束所述外延层刻蚀，之后进行所述第二次外延生长工艺在所述第一外延层表面形成具有第一导电类型的第二外延层；由所述第一外延层和所述第二外延层叠加形成电阻率匹配的具有第一导电类型的双层外延结构；/n步骤五、在所述第二外延层中形成第二部分器件结构。/n