[发明专利]一种CMOS磁传感器模拟前端电路有效

专利信息
申请号: 201710734711.5 申请日: 2017-08-09
公开(公告)号: CN109387795B 公开(公告)日: 2021-01-01
发明(设计)人: 田鑫;卓新元;况西根 申请(专利权)人: 苏州市灵矽微系统有限公司
主分类号: G01R33/07 分类号: G01R33/07;G01R33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种CMOS磁传感器模拟前端电路,其包括霍尔磁传感器、电流旋转电路、放大器、双采样积分器、比较器、电压电流参考源、数字电路。该电路避开大面积无源器件的使用,并以纯数字的方式调整判决阈值,加强了鲁棒性,实现了磁开关和磁量化器之间进行功能切换。
搜索关键词: 一种 cmos 传感器 模拟 前端 电路
【主权项】:
1.一种CMOS磁传感器模拟前端电路,其特征在于:其包括霍尔磁传感器、输入端与霍尔磁传感器输出端相连的电流旋转电路、输入端与电流旋转电路输出端相连的放大器、输入端与放大器输出端相连的双采样积分器、输入端与双采样积分器输出端相连的比较器、电压电流参考源、数字电路,其中所述双采样积分器输出端输出的电压与所述电压电流参考源输出端所输出的电压通过所述比较器进行比较,而比较的结果输出的一个信号到所述数字电路进行锁存,而另一个信号则反馈到所述双采样积分器,所述数字电路的输入端与所述电流旋转电路的输入端、所述放大器的输入端、所述双采样积分器的输入端、以及所述比较器的输入端均相连接,所述电压电流参考源的输出端与所述电流旋转电路的输入端、所述放大器的输入端、所述双采样积分器的输入端、所述比较器的输入端均相连接。
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