[发明专利]一种太阳能硅片清洗工艺在审
| 申请号： | 201710735168.0 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107658246A | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 古元甲;刘晓伟;刘涛;刘琦;刘沛然;孙昊;孙毅;田志民;杨旭洲;辛超;赵朋占;李伟;秦焱泽 | 申请（专利权）人： | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;B08B3/08 |
| 代理公司： | 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)12213 | 代理人： | 栾志超 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种太阳能硅片清洗工艺，包括预清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；药液清洗，将硅片表面的油污清洗干净；第一次漂洗，清除硅片上的药液；化学液清洗，将有机物分解去除；第二次漂洗，去除硅片表面清洗剂和泡沫；慢提拉，使硅片表面水分均匀。本发明的有益效果是提高了漂洗效果，降低清洗脏片率，提高产品的质量、节约成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能 硅片 清洗 工艺 | ||
【主权项】：
一种太阳能硅片清洗工艺，其特征在于：依次包括以下步骤：预清洗，将硅片上的污染物软化、分离、溶解；药液清洗，将硅片表面的油污清洗干净；第一次漂洗，清除硅片上的药液；化学液清洗，将有机物分解去除；第二次漂洗，去除硅片表面的化学液和泡沫；慢提拉，使硅片表面水分均匀；其中，所述药液清洗重复两次；所述第一次漂洗步骤重复两次；所述第二次漂洗步骤重复四次。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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