[发明专利]低旁瓣的基于互质思想的分子阵布阵方法有效
| 申请号： | 201710735645.3 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107611624B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 谢菊兰;干鹏;杨雪;罗紫惠;何子述 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01Q21/00 | 分类号： | H01Q21/00;G06F30/20 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 周刘英 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低旁瓣的基于互质思想的分子阵布阵方法，属于阵列信号技术领域，本发明的布阵方法为：由N个阵元数为M的子阵构成一维初始线阵，各子阵间的间距均为Md，各子阵内的阵元间距均为Nd，d为半个载波波长，M与N互质；对一维初始线阵进行扩展：分别为每个子阵增加a个阵元，得到扩展子阵，其中a不小于0.5M的上取整，扩展子阵的阵元间距均为Nd；增加a个扩展子阵，且扩展子阵间的间距均为Md；去除重合阵元得到扩展后的一维线阵结构。同时对本发明进行进一步扩展还可以用于对二维面阵的布阵处理，如沿三维坐标的X或Y轴方向扩展，或同时沿X、Y轴方向扩展来得到二维阵列结构。本发明的可扩展性好，扫描性能优良，对应的波束图的主瓣窄，旁瓣低。 | ||
| 搜索关键词： | 低旁瓣 基于 思想 分子 布阵 方法 | ||
【主权项】：
低旁瓣的基于互质思想的分子阵布阵方法，其特征在于，包括下列步骤：由N个子阵构成一维初始线阵，其中每个子阵内阵元数均为M，子阵间的间距均为Md，子阵内的阵元间距均为Nd，d为半个载波波长，整数M与N互质；对一维初始线阵进行扩展：分别为每个子阵增加a个阵元，得到扩展子阵，其中整数所述扩展子阵的阵元间距均为Nd；增加a个扩展子阵，且扩展子阵间的间距均为Md；去除重合阵元得到扩展后的一维线阵结构。
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