[发明专利]一种发光二极管的芯片及其制备方法有效
| 申请号： | 201710737017.9 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107658269B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭炳磊;魏晓骏;董彬忠;李鹏;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述芯片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述P型氮化镓层上设有延伸至所述N型氮化镓层的第一凹槽，所述第一凹槽内的N型氮化镓层上设有N型电极，所述P型氮化镓层上设有P型电极，所述P型氮化镓层上还设有延伸至所述多量子阱层的第二凹槽，所述第二凹槽内的多量子阱层上设有两个磁性材料层，所述两个磁性材料层相对设置，所述两个磁性材料层相对的侧面为异名磁极，所述P型氮化镓层夹在所述两个磁性材料层之间。本发明可以增加注入多量子阱层的空穴数量，进而增加多量子阱层内的复合发光，最终提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的芯片，所述芯片包括衬底以及依次层叠在所述衬底上的N型氮化镓层、多量子阱层和P型氮化镓层，所述P型氮化镓层上设有延伸至所述N型氮化镓层的第一凹槽，所述第一凹槽内的N型氮化镓层上设有N型电极，所述P型氮化镓层上设有P型电极，其特征在于，所述P型氮化镓层上还设有延伸至所述多量子阱层的第二凹槽，所述第二凹槽内的多量子阱层上设有两个磁性材料层，所述两个磁性材料层相对设置，所述两个磁性材料层相对的侧面为异名磁极，所述P型氮化镓层夹在所述两个磁性材料层之间。
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