[发明专利]一种用于图像传感器的有机光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201710737228.2 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107634145A | 公开（公告）日： | 2018-01-26 |
| 发明（设计）人： | 安涛;吴俊宇 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/46 | 分类号： | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所61214 | 代理人： | 谈耀文 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种用于图像传感器的有机光电探测器，包括玻璃基片，玻璃基片上表面设置有ITO电极层，玻璃基片上表面上还自下而上依次涂覆有阳极缓冲层、前置吸收层、主体活性层、阴极缓冲层以及Al电极层；阳极缓冲层由MoO3层和NPB层构成，前置吸收层为P3HT层，主体活性层为由电子给体材料PBDT‑TT‑F和电子受体材料PC71BM构成的复合层，阴极缓冲层由BCP层和MoO3层构成。利用吸收光谱互补原理，进而扩大光谱响应范围。本发明还公开了有机光电探测器的制备方法，工艺简单，对于设备的要求低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 图像传感器 有机 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于图像传感器的有机光电探测器，其特征在于，包括玻璃基片(1)，玻璃基片(1)上表面设置有ITO电极层(2)，玻璃基片(1)上表面上还自下而上依次涂覆有阳极缓冲层(3)、前置吸收层(4)、主体活性层(5)、阴极缓冲层(6)以及Al电极层(7)；所述阳极缓冲层(3)由MoO3层和NPB层构成，所述前置吸收层(4)为P3HT层，所述主体活性层(5)为由电子给体材料PBDT‑TT‑F和电子受体材料PC71BM构成的复合层，所述阴极缓冲层(6)由BCP层和MoO3层构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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