[发明专利]阵列基板及其制作方法在审
申请号: | 201710737258.3 | 申请日: | 2017-08-24 |
公开(公告)号: | CN107546235A | 公开(公告)日: | 2018-01-05 |
发明(设计)人: | 夏慧 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司11372 | 代理人: | 吴大建,张杰 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制作方法,该阵列基板上设置有像素电极和介质层,该像素电极为面状电极,该介质层设置于像素电极上,介质层在与像素电极相对的区域设置有用于控制像素电极电场的预定图案。本发明可以减少光罩数量及其工艺制程,降低生产成本,并且不需要对像素电极进行图案化处理来形成所需电场。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其上设置有像素电极和介质层,其特征在于,所述像素电极为面状电极,所述介质层设置于所述像素电极上,所述介质层在与所述像素电极相对的区域设置有用于控制像素电极电场的预定图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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