[发明专利]倒置型量子点发光二极管及其制作方法在审
| 申请号： | 201710737308.8 | 申请日： | 2017-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN107565065A | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 肖娅丹 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人： | 林才桂,闻盼盼 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种倒置型量子点发光二极管及其制作方法。本发明的倒置型量子点发光二极管的制作方法采用水热合成的方法形成单晶TiO2纳米棒阵列薄膜作为电子传输层，所述单晶TiO2纳米棒阵列薄膜中的多个单晶TiO2纳米棒呈阵列排布，不易团聚，解决了因TiO2纳米颗粒团聚导致的成膜不均、电子传输效率低、及光取出率不高的问题，保证电子传输层具有高效电子传输速率，增加光的散射从而增加光取出效率，提高器件的发光效率和稳定性。本发明的倒置型量子点发光二极管采用单晶TiO2纳米棒阵列薄膜作为电子传输层，具有较高的发光效率和稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 倒置 量子 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种倒置型量子点发光二极管的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成阴极(20)；采用水热合成的方法在所述阴极(20)上形成单晶TiO2纳米棒阵列薄膜，所述单晶TiO2纳米棒阵列薄膜包括垂直生长于所述阴极(20)上且呈阵列排布的多个单晶TiO2纳米棒，所述单晶TiO2纳米棒阵列薄膜即为电子传输层(30)；在所述电子传输层(30)上形成量子点发光层(40)；在所述量子点发光层(40)上形成空穴传输层(50)；在所述空穴传输层(50)上形成空穴注入层(60)；在所述空穴注入层(60)上形成阳极(70)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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