[发明专利]改善拼接曝光姆拉现象的方法有效

专利信息
申请号: 201710739084.4 申请日: 2017-08-25
公开(公告)号: CN107390478B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 雍玮娜;徐向阳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 郝传鑫;熊永强
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种改善拼接曝光姆拉现象的方法,涉及显示面板的制造领域,用于解决现有技术中存在的获得的拼接处的亮度不均,出现拼接姆拉的技术问题。本发明的改善拼接曝光姆拉现象的方法,包括第一掩膜版获得具有黑色矩阵的基板的步骤、用第二掩膜版获得具有色组单元的基板的步骤以及用第三掩膜版获得具有隔垫物的基板的步骤,通过对不同的制程采用不同的掩膜版,并且由于第一掩膜版、第二掩膜版以及第三掩膜版上曝光区的面积均不相同,因此在不同的制程中,基板上拼接处的位置均不相同,因此能够来弱化拼接位置处的异常曝光量,减弱因制程因素对拼接姆拉的恶化作用,从而改善面板在拼接处的质量。
搜索关键词: 改善 拼接 曝光 现象 方法
【主权项】:
一种改善拼接曝光姆拉现象的方法,其特征在于,包括以下步骤:用第一掩膜版获得具有黑色矩阵的基板;用第二掩膜版获得具有色组单元的基板;用第三掩膜版获得具有隔垫物的基板;所述第一掩膜版、所述第二掩膜版以及所述第三掩膜版上曝光区的面积均不相同。
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