[发明专利]一种测量下限较低的碳纳米管阴极电离规在审

专利信息
申请号: 201710739470.3 申请日: 2017-08-22
公开(公告)号: CN107527786A 公开(公告)日: 2017-12-29
发明(设计)人: 李得天;王永军;成永军;张虎忠;董猛;郭美如;李艳武;孙健;李刚 申请(专利权)人: 兰州空间技术物理研究所
主分类号: H01J41/06 分类号: H01J41/06
代理公司: 北京理工大学专利中心11120 代理人: 代丽,仇蕾安
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种测量下限较低的碳纳米管阴极电离规。本发明通过采用阳极栅网顶部端面直接提取电子的方法,增大了发射电子的有效利用率,将碳纳米管阴极电离规的测量下限延伸至10‑9Pa的极高真空范围。本发明包括笼状阳极栅网、离子收集极、电级基座以及固定在电级基座上的碳纳米管阴极,所述碳纳米管阴极与笼状阳极栅网的顶部端面相对,电级基座通过设置在基座两端的云母片固定在阳极栅网顶部端面的上方;阳极栅网的顶部端面为网状结构,利用网状结构的阳极栅网的顶部端面直接提取电子。
搜索关键词: 一种 测量 下限 纳米 阴极 电离
【主权项】:
一种测量下限较低的碳纳米管阴极电离规,包括笼状阳极栅网(4)、离子收集极(5)、电级基座(1)以及固定在电级基座(1)上的碳纳米管阴极(2),其特征在于,所述碳纳米管阴极(2)与笼状阳极栅网(4)的顶部端面(6)相对,电级基座(1)通过设置在基座两端的云母片(3)固定在阳极栅网(4)顶部端面(6)的上方;阳极栅网(4)的顶部端面(6)为网状结构,利用网状结构的阳极栅网(4)的顶部端面(6)直接提取电子。
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