[发明专利]一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710741647.3 申请日: 2017-08-25
公开(公告)号: CN107540373B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 严继康;甘有为;姜贵民;刘明;甘国友;谈松林;张家敏;杜景红;易建宏 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C04B35/493 分类号: C04B35/493;C04B35/622;C04B41/88
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摘要: 发明公开一种La离子掺杂PZT基压电陶瓷材料及其制备方法,属于电器元件及其材料制造技术领域。所述陶瓷材料组成为:Pb0.98Ga0.02(Zr0.52Ti0.48)0.96Ta0.04O3+xwt%La2O3,其中x=0.1~1;制备方法为:将原料混合,球磨,烘干后预烧;再经过二次球磨后,烘干,过筛,得到陶瓷粉体;造粒后压制成坯体进行排胶;然后烧结得到压电陶瓷片;再将压电陶瓷片涂覆银电极后煅烧,再置于硅油中进行极化制得PZT基压电陶瓷片。本发明制得的压电陶瓷片,居里温度Tc在390~440℃,压电常数d33在280~320pC/N,相对介电系数εr在1380~1460;该新型材料从常温至高温可反复或长期使用,可应用于高温条件下的各种压电传感器、换能器元器件及电力测量、自动控制等领域。
搜索关键词: 一种 la 离子 掺杂 pzt 压电 陶瓷材料 及其 制备 方法
【主权项】:
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