[发明专利]一种基质栽培菊花的方法在审

专利信息
申请号: 201710746144.5 申请日: 2017-08-26
公开(公告)号: CN107484645A 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 徐伟 申请(专利权)人: 芜湖市丹洋现代农业科技发展有限公司
主分类号: A01G31/00 分类号: A01G31/00;C05G1/00
代理公司: 北京汇信合知识产权代理有限公司11335 代理人: 寇俊波
地址: 241000 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及无土栽培领域,具体为一种基质栽培菊花的方法,其具体步骤如下(1)收集基质;(2)发酵;(3)制基质;(4)放置;(5)翻搅;(6)制槽;(7)打孔;(8)浇水;(9)装配;(10)插苗。本发明相对于有土栽培,基质栽培减少了细菌滋生;利用农村有机废弃物降低了成本;设计成V形槽使得过多的水可顺着V形槽内壁上的小孔漏下,防止积水过多使根部腐烂;同时V形槽可使用透明物体做观赏用,延长了产业链;利用发酵室腐熟相对于太阳能腐熟节约了时间,减少了成本;根据菊花的不同生长阶段浇不同的肥水,具有相对性。
搜索关键词: 一种 基质 栽培 菊花 方法
【主权项】:
一种基质栽培菊花的方法,其特征在于:其具体步骤如下:(1)收集基质:在农村收集有机废弃物,然后将有机废弃物粉碎,同时加入氮肥、钾肥、磷肥;(2)发酵:将粉碎后的有机废弃物加入适量发酵剂进行发酵;(3)制基质:对发酵后的有机废弃物注水,翻转均匀后,将有机废弃物堆积在地面,并在有机废弃物上盖上不透气薄膜;(4)放置:将有机废弃物放置在发酵室内发酵;(5)翻搅:按照一定规律进行翻堆发酵,初期温度保持在40℃‑50℃,发酵的高潮期保持在50℃‑70℃,后期结束温度保持在40℃‑50℃,湿度始终保持在55%‑65%;(6)制槽:使用可溶性泡沫制成平板用来固定菊花幼苗,在平板上扎若干小孔并平板上设置透水薄膜,同时使用可溶性泡沫制成V形槽;(7)打孔:平板设置在V形槽内并低于V形槽两厘米,在V形槽的内壁上也设置若干小孔;(8)浇水:在V形槽的两个内壁上处于平板上方的位置处悬挂两个细长,在水管上每隔5厘米处设置用于喷射营养水的雾化喷头;(9)装配:当有机废弃物腐熟后,置于营养液中,使得含水量在60%‑80%,将有机废弃物置于V形槽内,将平板置于V形槽上;(10)插苗:然后将菊花幼苗插到平板小孔上,根据菊花幼苗的两个生长阶段喷洒两种营养水。
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