[发明专利]封装薄膜、电子装置及其制备方法有效
申请号: | 201710747620.5 | 申请日: | 2017-08-25 |
公开(公告)号: | CN109427991B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 朱佩;曹蔚然 | 申请(专利权)人: | TCL科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L23/29;H01L21/56 |
代理公司: | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人: | 李艳丽 |
地址: | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种封装薄膜和电子装置及其制备方法。本发明封装薄膜包括氮化物陶瓷膜层、在所述氮化物陶瓷膜层上形成的第一氧化物陶瓷膜层和在所述第一氧化物陶瓷膜层上形成的第二氧化物陶瓷膜层。本发明电子装置包括用于封装电子元件的本发明封装薄膜。本发明封装薄膜通过氮化物陶瓷膜层与两层氧化物陶瓷膜层构成复合封装膜层结构,其阻隔水氧作用优异,结构稳定,保证了电子装置电化学性能的稳定,延长了工作寿命。 | ||
搜索关键词: | 封装 薄膜 电子 装置 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种封装薄膜,其特征在于:包括氮化物陶瓷膜层;在所述氮化物陶瓷膜层上形成的第一氧化物陶瓷膜层;和在所述第一氧化物陶瓷膜层上形成的第二氧化物陶瓷膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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