[发明专利]芯片和电子设备有效
申请号: | 201710749258.5 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN109427765B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 杨梁 | 申请(专利权)人: | 龙芯中科技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨泽;刘芳 |
地址: | 100095 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种芯片和电子设备,芯片包括:设置在芯片中的静电电流泄放主干通路,静电电流泄放主干通路绝缘设置在芯片的上层,静电电流泄放主干通路覆盖芯片平面或者围绕芯片的四周,静电电流泄放主干通路为闭合通路,静电电流泄放主干通路的阻抗值小于预设数值;芯片包括多个电压域,每个电压域包括静电电流泄放支路;每个电压域中的静电电流泄放支路与静电电流泄放主干通路并联连接。本发明提供的芯片,可以提供低阻抗的静电电流放电回路,当芯片包括的电压域数目较多时,更具有良好的可扩展性。 | ||
搜索关键词: | 芯片 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种芯片,其特征在于,包括:设置在芯片中的静电电流泄放主干通路,所述静电电流泄放主干通路绝缘设置在所述芯片的上层,所述静电电流泄放主干通路覆盖所述芯片平面或者围绕所述芯片的四周,所述静电电流泄放主干通路为闭合通路,所述静电电流泄放主干通路的阻抗值小于预设数值;所述芯片包括多个电压域,每个电压域包括静电电流泄放支路;每个电压域中的静电电流泄放支路与所述静电电流泄放主干通路并联连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的