[发明专利]计算单元边缘泄露的方法在审
| 申请号： | 201710749476.9 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109214029A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 彭士玮;杨超源;曾健庭;萧锦涛 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种计算半导体装置中的单元边缘泄露的方法包括：执行装置泄露仿真以获得对于不同单元边缘条件的泄露信息；以及提供与所述半导体装置中的单元边缘相关联的属性。所述方法进一步包括：执行分析来识别所述半导体装置中所存在的单元邻接情形；以及至少部分地基于与所述单元邻接情形相关联的机率以及从所述装置泄露仿真获得的仿真泄露值来计算所述半导体装置的泄露。 | ||
| 搜索关键词： | 泄露 半导体装置 单元边缘 邻接 关联 计算单元 执行装置 分析 | ||
【主权项】：
1.一种计算半导体装置中的单元边缘泄露的方法，其特征在于，包括：执行装置泄露仿真以获得对于不同单元边缘条件的泄露信息；提供与所述半导体装置中的单元边缘相关联的属性；执行分析来识别所述半导体装置中所存在的单元邻接情形；以及至少部分地基于与所述单元邻接情形相关联的机率以及从所述装置泄露仿真获得的仿真泄露值来计算所述半导体装置的泄露。
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