[发明专利]薄膜电阻元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710749774.8 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107895758A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 温文莹;赵基宏;蔡政原 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 王涛,汤在彦 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜电阻元件，包括一半导体基板；一导电层，位于半导体基板上；一介电层，位于导电层上，其中介电层包括一开口；以及一薄膜电阻层，位于导电层上；其中薄膜电阻层的一背表面与导电层的一部分的上表面直接接触且连续覆盖一均匀厚度于开口的底部及侧壁并延伸至介电层的上表面；其中薄膜电阻元件具有一预期电阻值由薄膜电阻层覆盖介电层的上表面长度决定。本发明亦提供一种薄膜电阻元件的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜电阻元件，其特征在于，包括：一半导体基板；一导电层，位于该半导体基板上；一介电层，位于该导电层上，其中该介电层包括一开口；以及一薄膜电阻层，位于该导电层上；其中该薄膜电阻层的一背表面与该导电层的一部分的上表面直接接触且连续覆盖一均匀厚度于该开口的底部及侧壁并延伸至该介电层的上表面；其中薄膜电阻元件具有一预期电阻值由该薄膜电阻层覆盖该介电层的上表面长度决定。
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