[发明专利]一种晶圆检测方法有效
申请号: | 201710750267.6 | 申请日: | 2017-08-28 |
公开(公告)号: | CN107611047B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 许向辉;叶林 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01N21/25;G01N21/95 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种晶圆检测方法,应用于晶圆的缺陷检测,其中,包括判断晶圆中当前站点对应的检测区域的类型;若为第一检测区域,先判断第一区域否已检测完毕,若是则退出,如否则对第一区域执行检测以获得一第一缺陷检测结果并判断第一缺陷检测结果是否大于一第一预设值;若是,则记录当前晶圆为不合格,若为第二检测区域,判断第二检测区域是否检测完毕,若第二检测区域已检测完毕,则退出;若第二检测区域未检测完毕,对第二检测区域进行检测以获得第二缺陷检测结果;并判断第二缺陷检测结果是否大于一第二预设值;若是,记录当前晶圆为不合格,若否,晶圆不合格并退出。其有益效果在于提高了检测效率,节省了检测时间。 | ||
搜索关键词: | 一种 检测 方法 | ||
【主权项】:
一种晶圆检测方法,应用于晶圆的缺陷检测,其特征在于,提供一晶圆,晶圆的检测区域的类型包括一第一检测区域和一第二检测区域;提供一检测机台,用以获取晶圆于制程工艺中的站点,并根据站点形成对应的检测指令;所述检测机台根据所述检测指令对晶圆执行检测操作;所述晶圆检测方法包括以下步骤:步骤S1、判断晶圆中当前站点对应的检测区域的类型;若为所述第一检测区域,则执行步骤S2;若为第二检测区域,则执行步骤S5;步骤S2、判断所述第一区域是否已检测完毕;若是,则退出;如否,则执行步骤S3;步骤S3、对所述第一检测区域进行检测以获得一第一缺陷检测结果;步骤S4、判断所述第一缺陷检测结果是否大于一第一预设值;若是,则记录当前晶圆为不合格,并判断所述第二检测区域是否检测完毕若所述第二检测区域已检测完毕,则退出;若所述第二检测区域未检测完毕,执行步骤S5;若否,晶圆不合格并退出;步骤S5、对所述第二检测区域进行检测以获得第二缺陷检测结果;步骤S6、判断所述第二缺陷检测结果是否大于一第二预设值;若是,记录当前晶圆为不合格,并返回步骤S2;若否,则退出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造