[发明专利]超低功耗低压带隙基准电压源有效
| 申请号： | 201710751421.1 | 申请日： | 2017-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN107479606B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 徐江涛;赵希阳;高静;史再峰;聂凯明 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 刘国威 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成电路领域，为提出能工作在较低的电源电压下，对电源电压的变化不敏感，且具有极低的功耗电压源。本发明，超低功耗低压带隙基准电压源，PMOS管M3、M4、M5栅极相连，源极接电源VDD，M3栅漏极相连；NMOS管M1漏极接M3漏极，源极接地，NMOS管M2漏极接M4漏极，源极通过电阻RPTAT接地，M1、M2栅极相连，并和地之间接电阻RCTAT；PMOS管M6源极接电源VDD，漏极接M1、M2的栅极，栅极接M7的栅极；PMOS管M7源极接电源VDD，漏极通过电阻ROUT接地，同时与M5的漏极相连；跨导运算放大器的负输入和正输入端分别接M3、M4的漏极。本发明主要应用于电压源设计制造。 | ||
| 搜索关键词： | 功耗 低压 基准 电压 | ||
【主权项】：
1.一种超低功耗低压带隙基准电压源，结构如下：PMOS管M3、M4、M5栅极相连，源极接电源VDD；NMOS管M1漏极接M3漏极，源极接地；跨导运算放大器的负输入和正输入端分别接M3、M4的漏极；最终在M5的漏极输出基准电压，其特征是，M3栅漏极相连，NMOS管M2漏极接M4漏极，源极通过电阻RPTAT接地，M1、M2栅极相连，并和地之间接电阻RCTAT；PMOS管M6源极接电源VDD，漏极接M1、M2的栅极，栅极接M7的栅极；PMOS管M7源极接电源VDD，漏极通过电阻ROUT接地，同时与M5的漏极相连，输出端接M6的栅极。
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