[发明专利]一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备和使用方法有效
| 申请号： | 201710754132.7 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107369708B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 孔欣 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/423;H01L21/335 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓高电子迁移率晶体管及其制备和使用方法，晶体管包括氮化镓外延结构、源电极、漏电极和两个栅电极；所述的源电极和漏电极分别与氮化镓外延结构形成欧姆连接，所述的两个栅电极均位于源电极和漏电极之间，两个栅电极均包括总线和与总线连接的多个分支线，所述的总线与氮化镓外延结构形成肖特基接触，分支线的四周采用介质包裹并深入至氮化镓外延结构的沟道层，同时两个栅电极的分支线呈叉指状排布。本发明在单一栅压调控沟道载流子的基础上再额外引入了栅压差这一调控因素，使得栅对沟道载流子的调控手段更加丰富、更加有效，有利于实现器件更加灵活的工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 电子 迁移率 晶体管 及其 制备 使用方法 | ||
【主权项】：
一种氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于：包括氮化镓外延结构、源电极、漏电极和两个栅电极；所述的源电极和漏电极分别与氮化镓外延结构形成欧姆连接，所述的两个栅电极均位于源电极和漏电极之间，两个栅电极均包括总线和与总线连接的多个分支线，所述的总线与氮化镓外延结构形成肖特基接触，分支线的四周采用介质包裹并深入至氮化镓外延结构的沟道层，同时两个栅电极的分支线呈叉指状排布。
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