[发明专利]一种混合AMC棋盘形结构加载的SIW背腔缝隙天线有效

专利信息
申请号: 201710754876.9 申请日: 2017-08-29
公开(公告)号: CN107591617B 公开(公告)日: 2019-11-05
发明(设计)人: 程友峰;邵维;丁霄;金富隆 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01Q1/38 分类号: H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q13/18
代理公司: 电子科技大学专利中心 51203 代理人: 邹裕蓉
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明提供了一种混合AMC棋盘形结构加载的SIW背腔缝隙天线,属于微波天线技术领域。本发明为三层印刷电路板PCB结构,包括辐射缝隙、SIW腔体以及具有相反反射相位的周期人工磁导体AMC表面。本发明采用背向散射波等幅反相抵消原理,能够实现X、K和Ku波段的天线RCS抑制。此外,SIW背腔结构能够有效削减天线的剖面尺寸,并且,缝隙天线的辐射特性会因受到周期表面的影响而产生增强效果。本发明可用于船载、机载以及车载的通信系统中,也可用于智能蒙皮系统中实现隐身与通讯功能。
搜索关键词: 一种 混合 amc 棋盘 结构 加载 siw 缝隙 天线
【主权项】:
1.一种混合AMC棋盘形结构加载的SIW背腔缝隙天线,其特征在于,包括上层介质基板(1)、下层介质基板(2)、人工磁导体AMC周期表面(3、4)、缝隙激励贴片(5)、激励探针(6)、中间层金属贴片(7)、底层金属贴片(8)、基片集成波导SIW方形谐振腔的金属过孔(9)、探针接头(10)、位于中间层金属贴片(7)上的圆形过孔(11)、辐射缝隙(12)和位于底层金属贴片(8)的圆形过孔(13);所述上层介质基板(1)位于AMC周期表面(3、4)和中间层金属贴片(7)之间;所述下层介质基板(2)位于中间层金属贴片(7)和底层金属贴片(8)之间;所述缝隙激励贴片(5)位于上层介质基板(1)的上表面;所述激励探针(6)穿过位于中间层金属贴片(7)的圆形过孔(11)和位于底层金属贴片(8)的圆形过孔(13)分别连接探针接头(10)和激励贴片(5);所述中间层金属贴片(7)为十字形状;SIW方形谐振腔由位于辐射缝隙(12)的下方的金属过孔(9)和部分中间层金属贴片(7)以及部分底层金属贴片(8)组成;所述探针接头(10)位于底层金属贴片(8)的下表面,为SMA同轴接头;所述辐射缝隙(12)由中间层金属贴片(7)部分蚀刻而成。
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