[发明专利]用于生产具有至少一个过孔的金属陶瓷衬底的方法在审
| 申请号： | 201710755799.9 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107799423A | 公开（公告）日： | 2018-03-13 |
| 发明（设计）人： | A·罗特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人： | 周家新,蔡洪贵 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于生产具有至少一个导电过孔(2，11)的金属陶瓷衬底(1，10)的方法，其中，在陶瓷层(3)的两个相反的表面侧中的每一个上分别有一个金属层(4，8)以平面方式附连到陶瓷板或陶瓷层(3)。根据本发明，在附连两个金属层(4，8)之前，或在附连两个金属层中的一个(4)之后但在附连两个金属层中的另一个(8)之前，将含金属的粉末状和/或液体物质(6，13)引入到陶瓷层(3)中的限定过孔(2，11)的孔眼(5，12)中，然后使组合体经受500℃以上的高温步骤，其中，含金属的物质(6，13)至少部分地以小于90°的润湿角润湿陶瓷层(3)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生产 具有 至少 一个 金属陶瓷 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生产具有至少一个导电过孔(2，11)的金属陶瓷衬底(1，10)的方法，其中，在陶瓷层(3)的两个相反的表面侧中的每一个上分别有一个金属层(4，8)以平面方式附连到陶瓷板或陶瓷层(3)，其特征在于在附连两个金属层(4，8)之前，或在附连两个金属层中的一个(4)之后但在附连两个金属层中的另一个(8)之前，将含金属的粉末状和/或液体物质(6，13)引入到陶瓷层(3)中的限定过孔(2，11)的孔眼(5，12)中，然后使组合体经受500℃以上的高温步骤，其中，含金属的物质(6，13)至少部分地以小于90°的润湿角润湿陶瓷层(3)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
