[发明专利]发光元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710755921.2 申请日: 2017-08-29
公开(公告)号: CN107863430B 公开(公告)日: 2020-03-10
发明(设计)人: 竹中靖博;斋藤义树;松井慎一;篠田大辅;程田高史;篠原裕直 申请(专利权)人: 丰田合成株式会社
主分类号: H01L33/36 分类号: H01L33/36;H01L33/40;H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 蔡胜有;苏虹
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本申请涉及发光元件及其制造方法。一种制造发光元件的方法,其包括:形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1‑xN(0.1≤x≤1)的n型半导体层;形成包含层叠结构的n侧接触电极,所述层叠结构包含Ti层和Ru层,所述Ti层与所述n型半导体层接触;以及通过热处理形成所述n型半导体层和所述Ti层的欧姆接触。
搜索关键词: 发光 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
一种制造发光元件的方法,包括:形成包含n型覆层和作为主要组分的AlxGa1‑xN的n型半导体层,其中0.1≤x≤1;形成包含层叠结构的n侧接触电极,所述层叠结构包含Ti层和Ru层,所述Ti层接触所述n型半导体层;以及通过热处理形成所述n型半导体层与所述Ti层的欧姆接触。
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