[发明专利]具有自对准电容器器件的半导体器件结构

摘要

公开了一种半导体器件结构，其包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，该SOI衬底包括半导体层、衬底材料以及位于半导体层与衬底材料之间的掩埋绝缘材料层；沟槽隔离结构，其位于SOI衬底的至少一部分中，该沟槽隔离结构限定SOI衬底中的第一区域；以及电容器器件，其形成在第一区域中，该电容器器件包括：第一电极，其由掩埋绝缘材料层上的第一区域中的导电层部分形成，该导电层部分至少部分地替代第一区域中的半导体层；第二电极，其形成在第一电极的上方；以及绝缘材料，其形成在第一电极与第二电极之间。

主权项

一种半导体器件结构，包括：绝缘体上半导体(SOI)衬底，所述SOI衬底包括半导体层、衬底材料以及位于所述半导体层与所述衬底材料之间的掩埋绝缘材料层；沟槽隔离结构，其位于所述SOI衬底的至少一部分中；电容器器件，其形成在与所述沟槽隔离结构相邻的第一区域中，所述电容器器件包括：第一电极，其包括位于所述掩埋绝缘材料层上方的所述第一区域中的导电层部分，所述导电层部分至少部分地替代所述第一区域中的所述半导体层；第二电极，其位于所述第一电极的上方；以及绝缘材料，其形成在所述第一电极与所述第二电极之间。