[发明专利]基板处理方法有效
申请号: | 201710756122.7 | 申请日: | 2017-08-29 |
公开(公告)号: | CN107799439B | 公开(公告)日: | 2021-07-13 |
发明(设计)人: | 日野出大辉;藤井定;武明励 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 崔炳哲;向勇 |
地址: | 日本京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种基板处理方法,包括:将基板保持为水平的基板保持工序;将比水的表面张力更低的低表面张力液体供给至被保持为水平的基板的上表面,形成低表面张力液体的液膜的液膜形成工序;在液膜的中央区域形成开口的开口形成工序;通过将开口扩大而将液膜从被保持为水平的基板的上表面排除的液膜排除工序;向设定在开口的外侧的第一着液点,供给比水的表面张力更低的低表面张力液体的低表面张力液体供给工序;向设定在开口的外侧且比第一着液点更远离开口的第二着液点,供给使被保持为水平的基板的上表面疎水化的疏水化剂的疏水化剂供给工序;以及使第一着液点和第二着液点追随开口的扩大而移动的着液点移动的工序。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,其中,包括:基板保持工序,将基板保持为水平;液膜形成工序,将比水的表面张力更低的低表面张力液体供给至被保持为水平的所述基板的上表面,形成所述低表面张力液体的液膜;开口形成工序,在所述液膜的中央区域形成开口;液膜排除工序,通过将所述开口扩大,来将所述液膜从被保持为水平的所述基板的上表面排除;低表面张力液体供给工序,向设定在所述开口的外侧的第一着液点供给比水的表面张力更低的低表面张力液体;疏水化剂供给工序,向设定在所述开口的外侧并且比所述第一着液点更远离所述开口的第二着液点供给疏水化剂,所述疏水化剂使被保持为水平的所述基板的上表面疎水化;着液点移动工序,使所述第一着液点和所述第二着液点追随所述开口的扩大而移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造