[发明专利]适用于TDDB的原位侦测热点方法有效
| 申请号： | 201710757942.8 | 申请日： | 2017-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN107576895B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 吴奇伟;尹彬锋;王炯 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/12 | 分类号： | G01R31/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种适用于TDDB的原位热点侦测方法，包括：提供待测样品，对所述待测样品的电性参数进行验证；定义应力条件及侦测热点的初始应力条件；对所述待测样品施加应力；观测中间数据，若所述待测样品达到侦测热点的初始应力条件，施加热点侦测电压侦测热点；若侦测到热点，则进行失效分析或继续TDDB测试。本发明中，实现了原位对失效样品热点的侦测，及时精准的反应了样品的失效位置，为进一步失效分析提供了有力保障。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 tddb 原位 侦测 热点 方法 | ||
【主权项】：
一种适用于TDDB的原位侦测热点方法，其特征在于，包括：提供待测样品，对所述待测样品的电性参数进行验证；定义应力条件及侦测热点的初始应力条件；对所述待测样品施加应力；观测中间数据，若所述待测样品达到侦测热点的初始应力条件，施加热点侦测电压侦测热点；若侦测到热点，则进行失效分析或继续TDDB测试。
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