[发明专利]一类三苯二噁嗪酰亚胺结构的半导体材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201710760451.9 申请日: 2017-08-30
公开(公告)号: CN107501295B 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 肖义;王赫麟;陈令成 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C07D498/22 分类号: C07D498/22;C07D519/00;H01L51/54
代理公司: 21208 大连星海专利事务所有限公司 代理人: 杨翠翠
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一类三苯二噁嗪酰亚胺结构的半导体材料及其制备方法,其属于有机合成技术领域。该材料为具有大共轭且空间扭曲的新型三苯二噁嗪酰亚胺衍生物。它采用在单溴或双溴三苯二噁嗪酰亚胺的6位和14位上引入较大共轭平面的芳香结构,分别与单硼酸芳香烃或单频哪醇硼酸酯芳香烃或单三丁基锡芳香烃,通过C‑C偶联的方法合成得到。新型三苯二噁嗪酰亚胺半导体材料在常用有机溶剂中具有优良的溶解度,在可见光区域具有强吸收,较高的摩尔消光系数,还具有良好的氧化还原特性和电子传输性能,可以应用于有机光电领域。
搜索关键词: 一类 三苯二噁嗪酰 亚胺 结构 半导体材料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一类三苯二噁嗪酰亚胺结构的半导体材料,其特征在于,该材料的结构通式为:/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学,未经大连理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710760451.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top