[发明专利]微型发光二极管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种微型发光二极管及其制作方法，该微型发光二极管器件包括外延叠层，其依次包含支撑层、第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，所述支撑层具有足够的厚度以提供一定的物理强度。本发明提供了一种水平结构的微型发光二极管的外延结构及芯片结构，芯片P电极和N电极在同一侧，光从P/N电极面的反面发出，可提升了芯片亮度的同时，水平结构适用于更多LED芯片的封装方式，提高了封装效率，提升封装产能。

主权项

1.微型发光二极管，包括：外延叠层，其从上至下依次包含支撑层、欧姆接触层、第一类型半导体层、有源层、第二类型半导体层，所述欧姆接触层的厚度为100nm以内，定义所述外延叠层之临近所述支撑层的一侧表面为第一表面，远离所述支撑层的另一侧表面为第二表面，其中所述外延叠层至少部分被蚀刻去除所述第二类型半导体层、有源层和第一类型半导体层，裸露出所述欧姆接触层的部分表面；所述支撑层的晶格常数与有源层的晶格常数匹配，具有足够的厚度以提供一定的物理强度，厚度为500nm以上；第一电极，设置于裸露出的所述欧姆接触层的表面上，与所述第一类型半导体层形成电性连接；第二电极，设置于所述外延叠层的第二表面，与所述第二类型半导体层形成电性连接，所述支撑层用于支撑所述第一电极并保护所述欧姆接触层；支撑基板，通过至少一个支撑柱与所述外延叠层的第二表面连接，使得所述微型发光二极管处于待拾取状态。