[发明专利]一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201710764060.4 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN107634139B | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李颖;赵高扬;朱瑞;张虎 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 61214 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)以碳纳米管粉末为溶质，无水乙醇为溶剂，制备浓度为10 | ||
| 搜索关键词： | 一种 抗大 电压 氧化 硅阻变 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种抗大电压氧化硅阻变薄膜的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：/n步骤1，以碳纳米管粉末为溶质，无水乙醇为溶剂，制备浓度为10
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