[发明专利]珙桐冬芽快速繁殖的培养方法

摘要

本发明公开了一种珙桐冬芽快速繁殖的培养方法。该方法包括以下步骤(1)采集珙桐冬芽作为外植体；(2)消毒灭菌；(3)冬芽初代培养；(4)增殖培养；(5)壮苗培养；(6)生根培养；(7)炼苗移栽；(8)水肥管理。本发明方法可有效提升人工繁殖珙桐的速度，提升珙桐苗的成活率。

主权项

一种珙桐冬芽快速繁殖的培养方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)采集1～2年生珙桐未萌发的冬芽为外植体材料；(2)消毒灭菌；将冬芽置于浓度为3～5g/mL的洗衣粉溶液中浸泡2～3min，修整冬芽，使其仅剩0.3～0.5cm的芽端，用75％乙醇浸泡10～30s，再用0.01％升汞溶液浸泡1～7min；或仅使用0.01％升汞溶液浸泡冬芽1～8min；(3)冬芽初代培养向WPM培养基中加入NAA、6‑BA、GA3和AC，调节培养基pH值为5.8～6.0，于120～125℃灭菌20～25min，冷却至室温，备用；然后将步骤(2)中消毒后的冬芽接种至培养基中，于24±1℃、2000～2100lx条件下，光照8～10h/d，培养至冬芽萌发为带芽茎段；其中，NAA加入量为0～0.4mg/L、6‑BA加入量为2.0～4.0mg/L、GA3加入量为0～2.0mg/L、AC加入量为1.0～1.5g/L；(4)增殖培养将步骤(3)所得产物接种至含有NAA、6‑BA和AC的WPM培养基中，于24±1℃、2000～2100lx条件下，光照8～10h/d，增殖培养，得到珙桐苗；其中，WPM培养基中NAA加入量为0.2～0.6mg/L、6‑BA加入量为1.0～4.0mg/L、AC加入量为0.5～1.5g/L；(5)壮苗培养用含有NAA、6‑BA、GA3和AC的WPM培养基，于24±1℃、2000～2100lx条件下，光照8～10h/d，培育步骤(4)中所得珙桐苗；其中，NAA加入量为0.5～1.5mg/L、6‑BA加入量为0.2～1.0mg/L、GA3加入量为0.5～1.5mg/L、AC加入量为0.5～1.5g/L；(6)生根培养选取步骤(5)中生长状态良好的珙桐苗，采用含有IBA、6‑BA和AC的White培养基，于24±1℃、2000～2100lx条件下，光照8～10h/d，培养至生根；其中，IBA的加入量为2.0～4.0mg/L、6‑BA的加入量为0～1.5mg/L、AC的加入量为0.5～1.5g/L；(7)炼苗移栽在生根培养后7～15d，对珙桐苗进行闭罐炼苗15～2d，遮阴度为50％～70％，再开罐炼苗3～7d，然后将珙桐苗移出，消毒灭菌，移栽至经消毒处理的基质中，浇足定根水，每5d喷施一次营养液；其中，基质为草炭、珍珠岩和蛭石的混合物，草炭、珍珠岩和蛭石重量比为1～2:0.5～1:0.5～1；(8)移栽后按常规方法进行水肥管理，培育得到珙桐树苗。