[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及存储介质有效
| 申请号： | 201710766303.8 | 申请日： | 2017-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN108630512B | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 岛本聪;芦原洋司;丰田一行;大桥直史 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及存储介质，该技术具有：一频率处理室，设置于处理组件内，并对形成有绝缘膜的衬底进行处理；二频率处理室，在处理组件内与一频率处理室相邻，并对经一频率处理室处理后的衬底进行处理；气体供给部，将至少包含硅和杂质的含硅气体分别供给至一频率处理室和二频率处理室；等离子体生成部，分别连接于一频率处理室和二频率处理室；离子控制部，连接于二频率处理室；衬底搬送部，设置于处理组件内，并在一频率处理室与二频率处理室之间搬送衬底；和控制部，至少对气体供给部、等离子体生成部、离子控制部和衬底搬送部进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.衬底处理装置，所述衬底处理装置具有：一频率处理室，所述一频率处理室设置于处理组件内，并对形成有绝缘膜的衬底进行处理；二频率处理室，所述二频率处理室在所述处理组件内与所述一频率处理室相邻，并对经所述一频率处理室处理后的衬底进行处理；气体供给部，所述气体供给部将至少包含硅和杂质的含硅气体分别供给至所述一频率处理室和所述二频率处理室；等离子体生成部，所述等离子体生成部分别连接于所述一频率处理室和所述二频率处理室；离子控制部，所述离子控制部连接于所述二频率处理室；衬底搬送部，所述衬底搬送部设置于所述处理组件内，并在所述一频率处理室与所述二频率处理室之间搬送衬底；和控制部，所述控制部至少对所述气体供给部、所述等离子体生成部、所述离子控制部和所述衬底搬送部进行控制。
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