[发明专利]一种降低阻变存储器形成电压的电形成方法

摘要

本发明公开了一种降低阻变存储器形成电压的电形成方法，包括如下步骤：对所述阻变存储器施加正向电压，在所述阻变存储器中形成由所述活性电极指向所述惰性电极电场；对所述阻变存储器施加反向电压，在所述阻变存储器中形成由所述惰性电极指向所述活性电极电场；循环上述步骤多次，直至实现对氧化物层的软击穿，在氧化物中形成导电丝，完成电形成过程；正向电压大于反向电压。正向电压实现氧离子的部分移动，带电氧空位部分积累；反向电压实现电子跃过势垒，中和带电氧空位，通过重复施加正向电压和反向电压，实现中性氧空位积累，实现阻变存储器的软击穿，又由于正、负向电压均小于正常形成电压，故降低了电形成步骤的操作电压。

主权项

一种降低阻变存储器形成电压的电形成方法，其特征在于，所述阻变存储器包括依次排列的活性电极、氧化物层以及惰性电极，包括如下步骤：S1对所述阻变存储器施加正向电压，在所述阻变存储器中形成由所述活性电极指向所述惰性电极电场；促使氧离子向活性电极的移动，在氧化物层中产生部分带电的氧空位；S2对所述阻变存储器施加反向电压，在所述阻变存储器中形成由所述惰性电极指向所述活性电极电场；促使电子跃过活性电极的界面势垒，中和氧化物层中的带电氧空位，在靠近活性电极与氧化物层界面的氧化物层形成中性氧空位，实现中性氧空位积累；S3判断所述阻变存储器的电流是否出现跃迁，若是，在所述氧化物层中形成导电丝，电形成过程完成，否则进入步骤S1；其中，所述正向电压小于所述正常形成电压，所述正向电压大于所述反向电压；所述正常形成电压通过向阻变存储器施加电压在阻变存储器中形成由活性电极指向惰性电极电场使得阻变存储器软击穿获得。